Компании IBM и Micron Technology приступили к выпуску новых модулей Hybrid Memory Cube (HMC), построенных на основе стека из чипов памяти, расположенных плотно друг к другу, как сообщает iXBT.com . В сентябре 2011 года на конференции Intel для разработчиков технология HMC была представлена как совместная рабата этих компаний. В модулях HMC была использована технология "связь сквозь кремний" ( through silicon via, TSV), обеспечивающая электрическую связь между собранными в стопку кристаллами DRAM и кристаллом со схемой высокоскоростного ввода-вывода. Это позволило, по сравнению с традиционной полупроводниковой системой, достичь большей производительности и получить больше каналов связи. В прототипе HMC, площадь которого составляет всего 10% площади печатной платы с микросхемами DRAM того же объема, скорость работы памяти увеличена в 15 раз, а энергопотребление снижено на 70%. При этом HMC занимает 10% площади печатной платы, занимаемой обычными микросхемами DRAM того же объема. Компания Micron Technology займется коммерческим выпуском чипов Hybrid Memory Cube, а IBM обеспечит технологию производства, а также разработку и поставку контроллеров микросхем, которые будут выпускаться на фабрике IBM (штат Нью-Йорк) по 32-нм техпроцессу HKMG. Первые поставки новых чипов будут во второй половине 2012 года, после "обкатки" их начнут ставить и в персональные компьютеры. В октябре 2011 года компании Micron и Samsung создали консорциум Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC), перед которым поставлена задача - разработка и продвижение открытой спецификации HMC.